IP-Beschichtung: Unterschied zwischen den Versionen
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| + | Die Ionenplattierung ist eine vakuumbasierte und plasmagestützte Beschichtungstechnik, die zu den Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (engl. physical vapour deposition, PVD) gehört. In der Metallverarbeitung wird die Aufbringung einer höherwertigen Metallschicht auf ein anderes Metall als Plattieren bezeichnet. | ||
| − | + | Beim Ionenplattieren geschieht dies nicht durch Angießen oder Aufschweißen, sondern über eine plasmagestützte Methode. Dabei wird zunächst die Substratoberfläche mittels Ionenbeschuss aus dem Plasma gereinigt (ein sogenanntes „soft etch“ per Sputtern). Anschließend wird aus einer Verdampferquelle Metalldampf zugeführt. Dieser ionisiert teilweise im Plasma und wird durch eine Vorspannung (0,3 bis 5 kV) am meist vorgeheizten Substrat auf dessen Oberfläche beschleunigt und bildet auf dem Substrat eine Schicht des verdampften Materials. Durch den ständigen Beschuss mit Metallionen wird immer wieder ein Teil des Substrats bzw. der Schicht abgetragen (abgesputtert). Die gelösten Atome kondensieren wieder auf dem Substrat und tragen zur Schichtbildung bei. Der ständige Ionenbeschuss modifiziert die Schichteigenschaften, so verbessert er meist die Haftung der Schicht. Die entstehende Schichtstruktur hängt dabei stark von der Temperatur des Substrates ab. | |
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Aktuelle Version vom 13. März 2016, 02:27 Uhr
Bei diesem Fachbegriff steht IP für den englischen Begriff ion plating, zu deutsch: Ionenplattierung.
Die Ionenplattierung ist eine vakuumbasierte und plasmagestützte Beschichtungstechnik, die zu den Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (engl. physical vapour deposition, PVD) gehört. In der Metallverarbeitung wird die Aufbringung einer höherwertigen Metallschicht auf ein anderes Metall als Plattieren bezeichnet.
Beim Ionenplattieren geschieht dies nicht durch Angießen oder Aufschweißen, sondern über eine plasmagestützte Methode. Dabei wird zunächst die Substratoberfläche mittels Ionenbeschuss aus dem Plasma gereinigt (ein sogenanntes „soft etch“ per Sputtern). Anschließend wird aus einer Verdampferquelle Metalldampf zugeführt. Dieser ionisiert teilweise im Plasma und wird durch eine Vorspannung (0,3 bis 5 kV) am meist vorgeheizten Substrat auf dessen Oberfläche beschleunigt und bildet auf dem Substrat eine Schicht des verdampften Materials. Durch den ständigen Beschuss mit Metallionen wird immer wieder ein Teil des Substrats bzw. der Schicht abgetragen (abgesputtert). Die gelösten Atome kondensieren wieder auf dem Substrat und tragen zur Schichtbildung bei. Der ständige Ionenbeschuss modifiziert die Schichteigenschaften, so verbessert er meist die Haftung der Schicht. Die entstehende Schichtstruktur hängt dabei stark von der Temperatur des Substrates ab.